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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.2
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3157
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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