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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
13.8
17.7
写入速度,GB/s
8.2
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2853
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB RAM的比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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