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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.9
13.8
写入速度,GB/s
9.6
8.7
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
2443
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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