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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
12.5
19.1
写入速度,GB/s
8.2
16.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
3562
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
最新比较
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
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