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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
43
左右 -153% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
17
读取速度,GB/s
12.7
22.0
写入速度,GB/s
8.0
16.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3704
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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