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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
37
读取速度,GB/s
14.4
14.7
写入速度,GB/s
9.4
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2267
2592
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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