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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
6.1
15.8
写入速度,GB/s
4.7
12.4
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2852
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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