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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
13.2
15.4
写入速度,GB/s
9.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2739
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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