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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
14.3
14.8
写入速度,GB/s
9.1
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
3210
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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