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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
14.3
15.0
写入速度,GB/s
9.1
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2516
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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