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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Kingston 9905702-119.A00G 8GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
14.3
13.2
写入速度,GB/s
9.1
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2530
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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