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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
13.2
15.3
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2962
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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