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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
14.8
17.7
写入速度,GB/s
8.7
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3410
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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