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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
14.8
18.5
写入速度,GB/s
8.7
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3794
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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