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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
总分
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
11.8
18.3
写入速度,GB/s
8.2
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
3148
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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