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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
14.8
16.4
写入速度,GB/s
8.7
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2616
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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