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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.4
18.4
写入速度,GB/s
7.5
16.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3825
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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