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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
8.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2834
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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