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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
21
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
20
读取速度,GB/s
16.0
19.2
写入速度,GB/s
11.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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