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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
20
读取速度,GB/s
16.8
19.7
写入速度,GB/s
11.3
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3400
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
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