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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
18.2
15.4
写入速度,GB/s
11.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2786
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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