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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
18.2
15.9
写入速度,GB/s
11.5
10.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2240
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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