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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
60
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
60
读取速度,GB/s
17.8
14.9
写入速度,GB/s
15.7
12.0
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3867
2511
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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