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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
16.0
15.0
写入速度,GB/s
11.2
10.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2901
2569
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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