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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
4,577.1
18.0
写入速度,GB/s
2,066.5
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3672
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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