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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
10.1
14.5
写入速度,GB/s
6.2
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2361
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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