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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
Super Talent F24EB8GS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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需要考虑的原因
Super Talent F24EB8GS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
16.2
写入速度,GB/s
8.2
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
3017
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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