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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
42
读取速度,GB/s
11.9
16.3
写入速度,GB/s
7.6
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3072
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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