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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
11.7
17.4
写入速度,GB/s
6.9
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1922
3340
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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