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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
5,987.5
16.9
写入速度,GB/s
2,160.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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