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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
5,987.5
17.3
写入速度,GB/s
2,160.7
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3404
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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