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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,892.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
6,181.5
17.9
写入速度,GB/s
1,892.9
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
851
3514
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
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