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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,878.3
18.1
写入速度,GB/s
2,475.5
14.2
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3485
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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