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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,475.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8800
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,878.3
15.7
写入速度,GB/s
2,475.5
9.5
内存带宽,mbps
8800
21300
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2713
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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