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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
57
左右 -138% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
24
读取速度,GB/s
6.8
17.0
写入速度,GB/s
5.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
3230
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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