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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
57
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
42
读取速度,GB/s
6.8
8.3
写入速度,GB/s
5.5
5.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
1687
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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