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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston 9965669-008.A03G 16GB

总分
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

总分
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

差异 规格 评论

差异

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 57
    左右 -50% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    57 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 13.8
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1244 left arrow 2384

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905402-532.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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AMD R948G2806U2S 8GB
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内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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