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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
57
左右 -171% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
21
读取速度,GB/s
6.8
15.3
写入速度,GB/s
5.5
7.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2276
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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