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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
57
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
40
读取速度,GB/s
6.8
9.1
写入速度,GB/s
5.5
6.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
1764
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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