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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
需要考虑的原因
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
13.9
15.2
写入速度,GB/s
8.9
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
1843
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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