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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
51
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
51
读取速度,GB/s
17.7
10.4
写入速度,GB/s
13.1
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2387
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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