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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
36
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
36
读取速度,GB/s
17.7
14.4
写入速度,GB/s
13.1
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2489
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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