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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
31
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
31
读取速度,GB/s
17.7
15.5
写入速度,GB/s
13.1
9.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2060
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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