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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
11.5
16.4
写入速度,GB/s
6.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2949
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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