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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
73
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
38
读取速度,GB/s
6.1
7.7
写入速度,GB/s
4.7
8.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2163
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
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InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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