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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
56
73
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.5
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
56
读取速度,GB/s
6.1
9.5
写入速度,GB/s
4.7
7.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2294
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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