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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
12.9
15.9
写入速度,GB/s
8.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
2952
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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