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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

总分
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

总分
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 85
    左右 56% 更低的延时
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB 需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 85
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1853 left arrow 1772

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM的比较

Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM的比较

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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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最新比较

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内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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内存RAM
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Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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内存RAM
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