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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2476
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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