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Kingston 9905474-037.A00LF 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
比较
Kingston 9905474-037.A00LF 4GB vs Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
总分
Kingston 9905474-037.A00LF 4GB
总分
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905474-037.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
5.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905474-037.A00LF 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
10.8
12.0
写入速度,GB/s
5.8
6.7
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1793
1479
Kingston 9905474-037.A00LF 4GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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